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参数资料
| 型号： | SI6966DQ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si6966DQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.08
2000
1600
0.06
0.04
V GS = 2.5 V
1200
800
C iss
0.02
V GS = 4.5 V
400
C oss
C rss
0.00
0
0
6
12
18
24
30
0
4
8
12
16
20
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 10 V
I D = 4.5 A
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 4.5 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0.8
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.10
0.08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
I D = 4.5 A
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71808
S-81221-Rev. C, 02-Jun-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6966EDQ-T1-GE3 | MOSFET N-CH DUAL G-S 20V 8TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI6966EDQ | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N-channel MOSFET,SI6966EDQ 20V 4.5A |
| SI6966EDQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6966EDQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6966EDQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 5.2A 1.25W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI6967DQ | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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