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参数资料
| 型号： | SI7326DN-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 5V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7326DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.040
1200
1000
0.032
0.024
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
800
600
C iss
0.016
400
C oss
0.008
0.000
200
0
C rss
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
4
3
2
1
0
V DS = 15 V
I D = 9 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 9 A
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
50
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.06
0.05
0.04
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 9 A
0.03
0.02
0.01
T J = 25 °C
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 74444
S-83051-Rev. C, 29-Dec-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7326DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7328DN-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 52W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7328DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI-7330 | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Unipolar Driver ICs |
| SI7330A | 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Unipolar Driver ICs |
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