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参数资料
| 型号： | SI7390DP-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 37FML1-AAW11B | SWITCH PUSH SPST-NO 0.2A 24V |
| ASVMPC-19.440MHZ-LY-T3 | OSC 19.440 MHZ CMOS MEMS SMD |
| B32529C6273K289 | FILM CAP 0.0270UF 10% 400V |
| BF-75.000MBE-T | OSC 75.000 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32529C473K289 | CAP FILM 0.047UF 63VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7390DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 5.0W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7392ADP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
| SI7392ADP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7392ADP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 27.5W 7.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7392DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
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