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参数资料
| 型号： | SI7440DP-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.9W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7440DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
I D = 250 μA
200
160
-0.0
-0.2
120
-0.4
80
-0.6
-0.8
40
-1.0
-50
-25
0
25 50 75 100
T J - Temperature ( ° C)
125
150
0
0.001
0.01
0.1
Time (s)
1
10
Threshold Voltage
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 68 ° C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
Single Pulse
0.05
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71623 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71623
S09-0270-Rev. D, 16-Feb-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1624227-7 | POT 22K OHM 1/5W 20% SIDE ROUND |
| 1583684-3 | DIE SET D CONN SIZE 10.0 |
| B32520C3333K189 | FILM CAP 0.0330UF 10% 250V |
| 1623760-5 | POT 10K OHM 0.4W 20% SIDE ROUND |
| YB225CWCSW01-6G-JS | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7440DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 21A 5.4W 6.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7444DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 23.6A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7444DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7445DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI7445DP-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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