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参数资料
| 型号： | SI7457DP-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 7.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5230pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7457DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
35
30
V GS = 10 V thru 6 V
20
25
20
15
10
5V
16
12
8
T A = 125 °C
5
4V
4
25 °C
- 55 °C
0
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
0.040
0.039
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
7000
6000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.038
V GS = 6 V
5000
0.037
4000
0.036
0.035
V GS = 10 V
3000
0.034
0.033
0.032
2000
1000
0
C oss
C rss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.3
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 7.9 A
V DS = 50 V
2.0
1.7
I D = 7.9 A
V GS = 10 V, 6 V
6
V DS = 80 V
1.4
4
1.1
2
0
0.8
0.5
0
20
40
60
80
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73431
S09-0273-Rev. C, 16-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM7560-565 | COMMON MODE CHOKE 5600UH |
| 3852A-162-102A | POT 1.0K OHM 3/4" RD CERM |
| SI7455DP-T1-E3 | MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC |
| 81A2A-B28-A15/A15L | POT 10K OHM 5/8" SQ 2W CERMET |
| 513-1711-001 | SWITCH M/F BASIC 5131701604 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7457DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 28A 83W 42mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7458DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET |
| SI7459DP-T1 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:P-Ch PowerPAK SO-8 30V 6.8mohm@10V |
| SI7459DPT1E3 | 制造商:VISHAY 功能描述:Pb Free |
| SI7459DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 22A 5.4W 6.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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