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参数资料
| 型号： | SI7661ESA+T |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 切换式电容器（充电泵），反相 |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | -4.5 V ~ -20 V |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 20 V |
| 频率 - 开关： | 10kHz |
| 电流 - 输出： | 20mA |
| 同步整流器： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
ICL7662/Si7661
4
Maxim Integrated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7664DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI7664DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7664DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W 3.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7668ADP-T1 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 31A 8PIN PWRPAK SO - Tape and Reel |
| SI7668ADP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 40A 83W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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