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参数资料
| 型号： | SI7682DP-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1595pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 27.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si7682DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
10
0
Package Limited
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature (°C)
Current Derating*
35
2.5
30
2.0
25
20
15
1.5
1.0
10
0.5
5
0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperature (°C)
Power, Junction-to-Foot
T A - Ambient Temperature (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 73350
S09-0272-Rev. B, 16-Feb-09
www.vishay.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PVC6E500C01B00 | TRIMMER 50 OHM 0.5W TH |
| B32529C183J289 | FILM CAP 0.0180UF 5% 63V |
| PVC6E254C01B00 | TRIMMER 250K OHM 0.5W TH |
| ABLSG-20.000MHZ-D-2-Y-T | CRYSTAL 20.000 MHZ 18PF SMD |
| B32529C183J189 | FILM CAP 18NF 5% 63V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI7682DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7684DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7684DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 20A 27.5W 9.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI7686DP | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SI7686DP-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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