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参数资料
| 型号： | SI8221DC-A-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 4/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISODRIVER 2.5A OPTO INP 8SOIC |
| 标准包装： | 96 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/0 |
| 通道数： | 1 |
| 电源电压： | 6.5 V ~ 24 V |
| 电压 - 隔离： | 3750Vrms |
| 传输延迟： | 40ns |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si8220/21
1. Electrical Specifications
Table 1. Electrical Characteristics 1
V DD = 12 V or 15 V, V SS = GND, T A = –40 to +125 °C; typical specs at 25 °C.
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
DC Specifications
Power Supply Voltage
Input Current (ON)
Input Current Rising Edge
Hysteresis
Input Voltage (OFF)
V DD
I F(ON)
I HYS
V F(OFF)
(V DD – V SS )
Measured at ANODE with
respect to CATHODE.
6.5
5.0
—
– 0.6
—
—
0.5
—
24
20
—
1.6
V
mA
mA
V
Measured at ANODE with
Input Forward Voltage
V F
respect to CATHODE.
1.7
—
2.5
V
I F = 5 mA.
0.5 A devices
—
15
—
Output Resistance High (Source)
R OH
2.5 A devices
—
2.7
—
?
0.5 A devices
—
5.0
—
Output Resistance Low (Sink)
R OL
2.5 A devices
(0.5 A), I F = 0
(see Figure 2)
—
—
1.0
0.3
—
—
Output High Current (Source)
I OH
(2.5 A), I F = 0
(see Figure 2)
—
1.5
—
A
(0.5 A), I F = 10 mA,
(see Figure 1)
—
0.5
—
Output Low Current (Sink)
I OL
(2.5 A), I F = 10 mA,
(see Figure 1)
—
2.5
—
A
(0.5 A), I OUT = –50 mA
—
V DD –
0.5
—
High-Level Output Voltage
V OH
(2.5 A), I OUT = –50 mA
V DD –
0.1
V
Low-Level Output Voltage
High-Level Supply Current
Low-Level Supply Current
V OL
(0.5 A), I OUT = 50 mA
(2.5 A), I OUT = 50 mA
Output open I F = 10 mA
Output open
V F = –0.6 to +1.6 V
—
—
—
200
50
1.2
1.4
—
—
—
mV
mA
mA
Notes:
1. VDD = 12 V for 5, 8, and 10 V UVLO devices; VDD = 15 V for 12.5 V UVLO devices.
2. See "9.Ordering Guide" on page 22 for more information.
4
Rev. 1.4
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参数描述 |
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