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参数资料
| 型号： | SI8410BD-A-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 23/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 1CH 5KV 150M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/0 |
| 通道数： | 1 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 6ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1932-5 SI8410BD-A-IS-ND |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8422/23 (2.5 & 5 kV)
3.1. Device Startup
Outputs are held low during powerup until V DD is above the UVLO threshold for time period tSTART. Following this,
the outputs follow the states of inputs.
3.2. Under Voltage Lockout
Under Voltage Lockout (UVLO) is provided to prevent erroneous operation during device startup and shutdown or
when V DD is below its specified operating circuits range. Both Side A and Side B each have their own undervoltage
lockout monitors. Each side can enter or exit UVLO independently. For example, Side A unconditionally enters
UVLO when V DD1 falls below V DD1(UVLO–) and exits UVLO when V DD1 rises above V DD1(UVLO+) . Side B operates
the same as Side A with respect to its V DD2 supply.
UVLO+
UVLO-
V DD1
UVLO+
UVLO-
V DD2
INPUT
tSTART
tSD
tSTART
tSTART
tPH L
tPLH
OUTPUT
Figure 7. Device Behavior during Normal Operation
Rev. 1.3
23
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3612KL-04W-B59-E50 | FAN DC AXIAL 12V 92X32 TAC |
| SI8620BC-B-IS | IC ISOLATOR 2CH 3.75KV 8-SOIC |
| M80-4610605 | CONN RECEPT 2MM 6POS 24-28AWG |
| FAD1-12038DBJW12 | FAN 120X38.5MM 24VDC BALL WIRE |
| FAD1-12038DBMW12 | FAN 120X38.5MM 24VDC BALL WIRE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8410BD-A-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Single Ch 5kV Isolator 150M RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8410-B-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Single Ch 2.5kV Iso 10M 1/0 SOIC8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8410-C-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Single Ch 2.5kV Iso 150M 1/0 SOIC8 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8411DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI8411DB-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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