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参数资料
| 型号： | SI8422AB-B-ISR |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 14/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR DGTL 2.5KV 8SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/1 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 1Mbps |
| 传输延迟： | 35ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8 422/23 ( 2. 5 & 5 k V)
Table 3. Electrical Characteristics 1 (Continued)
(V DD1 = 2.70 V, V DD2 = 2.70 V, T A = –40 to 125 °C)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Si8422Bx
V DD1
V DD2
—
—
2.9
2.9
4.3
4.3
mA
Si8423Bx
V DD1
V DD2
—
—
3.4
2.0
5.1
2.9
mA
100 Mbps Supply Current (All inputs = 50 MHz square wave, CL = 15 pF on all outputs)
Si8410Bx
V DD1
V DD2
—
—
2.0
2.0
3.0
3.0
mA
Si8420Bx
V DD1
V DD2
—
—
3.5
5.5
5.3
6.9
mA
Si8421Bx
V DD1
V DD2
—
—
4.6
4.6
5.8
5.8
mA
Si8422Bx
V DD1
V DD2
—
—
4.6
4.6
5.8
5.8
mA
Si8423Bx
V DD1
V DD2
—
—
3.4
5.2
5.1
6.5
mA
Timing Characteristics
Si841xAx, Si842xAx
Maximum Data Rate
Minimum Pulse Width
0
—
—
—
1.0
250
Mbps
ns
Propagation Delay
Pulse Width Distortion
t PHL , t PLH
PWD
See Figure 1
See Figure 1
—
—
—
—
35
25
ns
ns
|t PLH - t PHL |
Propagation Delay Skew 3
Channel-Channel Skew
t PSK(P-P)
t PSK
—
—
—
—
40
35
ns
ns
Si841xBx, Si842xBx
Maximum Data Rate
0
—
150
Mbps
Notes:
1. Specifications in this table are also valid at VDD1 = 2.6 V and VDD2 = 2.6 V when the operating temperature range is
constrained to T A = 0 to 85 °C.
2. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 50 ? , ±40%, which is a combination of the
value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving loads
where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
3. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at
the same supply voltages, load, and ambient temperature.
4. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
14
Rev. 1.3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1625953-3 | RES 150M OHM 50W 10% TF FERR |
| 3-644462-8 | CONN RECEPT 8POS 20AWG MTA156 |
| AD260BND-4 | IC LOGIC ISO/3.5KV 4:1IO 22DIP |
| YC122-JR-07330RL | RES ARRAY 330 OHM 2 RES 0404 |
| 1625953-4 | RES 1.0M OHM 50W 10% TF FERR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8422AB-D-ISR | 功能描述:DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 技术:容性耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:2 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/1 通道类型:单向 电压 - 隔离:2500Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/μs 数据速率:1Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:35ns，35ns 脉宽失真（最大）:25ns 上升/下降时间（典型值）:2ns， 2ns 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 |
| Si8422AD-A-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator, 1M, 1/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8422AD-A-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:DUAL CH 5KV ISOLATOR, 1M, 1/1, SOIC16, LEAD FREE - Tape and Reel |
| Si8422AD-B-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 1M 1/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8422AD-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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