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参数资料
| 型号： | SI8422AD-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 17/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | ISOLATOR 2CH 5KV 1M 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/1 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 1Mbps |
| 传输延迟： | 35ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1937-5 SI8422AD-B-IS-ND |
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Si8410/20/21 (5 kV)
Si8422/23 (2.5 & 5 kV)
Table 7. Insulation and Safety-Related Specifications
Value
Parameter
Symbol
Test Condition
WB
NB
Unit
SOIC-16
SOIC-8
Nominal Air Gap (Clearance) 1
Nominal External Tracking (Creepage) 1
Minimum Internal Gap (Internal Clearance)
L(IO1)
L(IO2)
8.0 min
8.0 min
0.014
4.9 min
4.01 min
0.008
mm
mm
mm
Tracking Resistance
(Proof Tracking Index)
Erosion Depth
PTI
ED
IEC60112
600
0.019
600
0.040
V RMS
mm
Resistance (Input-Output)
2
R IO
10 1,2
10 1,2
?
Capacitance (Input-Output) 2
C IO
f = 1 MHz
2.0
1.0
pF
Input Capacitance
3
C I
4.0
4.0
pF
Notes:
1. The values in this table correspond to the nominal creepage and clearance values as detailed in “7. Package Outline:
16-Pin Wide Body SOIC”, “9. Package Outline: 8-Pin Narrow Body SOIC”. VDE certifies the clearance and creepage
limits as 8.5 mm minimum for the WB SOIC-16 package and 4.7 mm minimum for the NB SOIC-8 package. UL does
not impose a clearance and creepage minimum for component level certifications. CSA certifies the clearance and
creepage limits as 3.9 mm minimum for the NB SOIC-8 and 7.6 mm minimum for the WB SOIC-16 package.
2. To determine resistance and capacitance, the Si84xx is converted into a 2-terminal device. Pins 1–8 (1–4, NB SOIC-8)
are shorted together to form the first terminal and pins 9–16 (5–8, NB SOIC-8) are shorted together to form the second
terminal. The parameters are then measured between these two terminals.
3. Measured from input pin to ground.
Table 8. IEC 60664-1 (VDE 0844 Part 5) Ratings
Parameter
Test Conditions
Specification
NB SOIC8 WB SOIC 16
Basic Isolation Group
Installation Classification
Material Group
Rated Mains Voltages < 150 V RMS
Rated Mains Voltages < 300 V RMS
Rated Mains Voltages < 400 V RMS
Rated Mains Voltages < 600 V RMS
Rev. 1.3
I
I-IV
I-III
I-II
I-II
I
I-IV
I-IV
I-III
I-III
17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 282026-019 | CABLE 1 COND 20AWG SHIELDED |
| M80-8532642 | CONN HDR 2MM DUAL W/LATCH 26POS |
| CHG-2050-001010-KCP | CONN RECEPT IDC 50POS 28-26 AWG |
| FAD1-12038EBMW12 | FAN 120X38.5MM 48VDC BALL WIRE |
| M80-8391042 | CONN HDR 2MM R/A W/LATCH 10POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8422AD-B-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8422AD-D-IS | 功能描述:General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 2 Channel 1Mbps 20kV/μs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 制造商:silicon labs 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:管件 零件状态:有效 技术:容性耦合 类型:通用 隔离式电源:无 通道数:2 输入 - 输入侧 1/输入侧 2:1/1 通道类型:单向 电压 - 隔离:5000Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）:20kV/μs 数据速率:1Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:35ns，35ns 脉宽失真（最大）:25ns 上升/下降时间（典型值）:2ns， 2ns 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商器件封装:16-SOIC 标准包装:46 |
| Si8422BB-A-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 2.5kV Isolator, 150M, 1/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8422BB-A-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:DUAL CH 2.5KV ISOLATOR, 150M, 1/1, SOIC8, LEAD FREE - Tape and Reel |
| Si8422BB-B-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 2.5kV Isolator 150M 1/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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