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参数资料
| 型号： | SI8440AB-C-IS1R |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 16/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR DGTL 4CH 16SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 4/0 |
| 通道数： | 4 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 1Mbps |
| 传输延迟： | 35ns |
| 输出类型： | 三态 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si8440/41/42/45
Table 8. IEC 60664-1 (VDE 0844 Part 2) Ratings
Parameter
Basic Isolation Group
Installation Classification
Test Condition
Material Group
Rated Mains Voltages < 150 V RMS
Rated Mains Voltages < 300 V RMS
Rated Mains Voltages < 400 V RMS
Rated Mains Voltages < 600 V RMS
Specification
I
I-IV
I-III
I-II
I-II
Table 9. IEC 60747-5-2 Insulation Characteristics for Si84xxxB*
Parameter
Maximum Working Insulation Voltage
Symbol
V IORM
Test Condition
Characteristic
560
Unit
V peak
Input to Output Test Voltage
V PR
Method b1
(V IORM x 1.875 = V PR , 100%
Production Test, t m = 1 sec,
Partial Discharge < 5 pC)
1050
V peak
Transient Overvoltage
V IOTM
t = 60 sec
4000
V peak
Pollution Degree (DIN VDE 0110, Table 1)
2
Insulation Resistance at T S , V IO = 500 V
R S
>10 9
?
*Note: Maintenance of the safety data is ensured by protective circuits. The Si84xx provides a climate classification of
40/125/21.
Table 10. IEC Safety Limiting Values 1
Max
Parameter
Symbol
Test Condition
Min Typ
WB
NB
Unit
SOIC-16
SOIC-16
Case Temperature
T S
—
—
150
150
°C
Safety input, output, or
supply current
Device Power Dissipa-
tion 2
I S
P D
? JA = 100 °C/W (WB SOIC-16),
105 °C/W (NB SOIC-16),
V I = 5.5 V, T J = 150 °C, T A = 25 °C
—
—
—
—
220
275
210
275
mA
mW
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure; also see the thermal derating curve in Figures 3 and 4.
2. The Si844x is tested with VDD1 = VDD2 = 5.5 V, TJ = 150 oC, CL = 15 pF, input a 150 Mbps 50% duty cycle square
wave.
16
Rev. 1.6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MK2PD-S-DC12 | RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 12V |
| 5713E | KNOB SKIRTED THERMOSET 1/4" |
| MJN2C-E DC48 | RELAY GEN PURPOSE DPDT 20A 48V |
| 5500E | KNOB POINTER THERMOSET 1/4" |
| 5510E | KNOB POINTER THERMOSET 1/4" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si8440AB-C-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 2.5kV Isolatr 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8440AB-D-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Quad Ch 2.5kV Isolator 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8440AB-D-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 2.5kV Isolatr 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8440AB-D-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 2.5kV Isolatr 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8440AB-D-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Quad Ch 2.5kV Isolator 1M 4/0 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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