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参数资料
| 型号： | SI8441AB-D-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 7/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR 4CH 5.5V 16-SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 46 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 3/1 |
| 通道数： | 4 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 1Mbps |
| 传输延迟： | 35ns |
| 输出类型： | 三态 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 产品目录页面： | 628 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 336-1761-5 |
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Si8440/41/42/45
Table 3. Electrical Characteristics (Continued)
(V DD1 = 5 V ±10%, V DD2 = 5 V ±10%, T A = –40 to 125 °C; applies to narrow and wide-body SOIC packages)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Si844xBx
Maximum Data Rate
Minimum Pulse Width
0
—
—
—
150
6.0
Mbps
ns
Propagation Delay
Pulse Width Distortion
t PHL , t PLH
PWD
See Figure 2
See Figure 2
3.0
—
6.0
1.5
9.5
2.5
ns
ns
|t PLH - t PHL |
Propagation Delay Skew 2
Channel-Channel Skew
t PSK(P-P)
t PSK
—
—
2.0
0.5
3.0
1.8
ns
ns
All Models
Output Rise Time
t r
C L = 15 pF
—
3.8
5.0
ns
See Figure 2
Output Fall Time
t f
C L = 15 pF
—
2.8
3.7
ns
See Figure 2
Enable to Data Tri-State
Common Mode Transient
Immunity
Enable to Data Valid 3
3
CMTI
t en1
t en2
V I = V DD or 0 V
See Figure 1
See Figure 1
—
—
—
25
5.0
7.0
—
8.0
9.2
kV/μs
ns
ns
Start-up
Time 3,4
t SU
—
15
40
μs
Notes:
1. The nominal output impedance of an isolator driver channel is approximately 85 ? , ±40%, which is a combination of the
value of the on-chip series termination resistor and channel resistance of the output driver FET. When driving loads
where transmission line effects will be a factor, output pins should be appropriately terminated with controlled
impedance PCB traces.
2. t PSK(P-P) is the magnitude of the difference in propagation delay times measured between different units operating at
the same supply voltages, load, and ambient temperature.
3. See "3. Errata and Design Migration Guidelines" on page 25 for more details.
4. Start-up time is the time period from the application of power to valid data at the output.
Rev. 1.6
7
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PDF描述 |
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| 2-1879453-3 | RES 68 OHM 1000W 5% WW LUG |
| SI8440AB-D-IS | IC ISOLATOR 4CH 5.5V 16-SOIC |
| PEC36DADN | CONN HEADER .100 DUAL STR 72POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8441AB-D-IS R | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| Si8441AB-D-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 2.5kV Isolatr 1M 3/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8441AB-D-IS1 R | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI8441AB-D-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 2.5kV Isolatr 1M 3/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8441AB-D-ISR | 功能描述:隔离器接口集成电路 Quad Ch 2.5kV Isolator 1M 3/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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