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参数资料
| 型号： | SI8451BB-B-IS1 |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 16/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR 5CH 5.5V 16-SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 4/1 |
| 通道数： | 5 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 6ns |
| 输出类型： | 三态 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
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Si8450/51/52/55
Table 8. IEC 60664-1 (VDE 0844 Part 2) Ratings
Parameter
Basic Isolation Group
Installation Classification
Test Condition
Material Group
Rated Mains Voltages < 150 V RMS
Rated Mains Voltages < 300 V RMS
Rated Mains Voltages < 400 V RMS
Rated Mains Voltages < 600 V RMS
Specification
I
I-IV
I-III
I-II
I-II
Table 9. IEC 60747-5-2 Insulation Characteristics for Si84xxxB*
Parameter
Maximum Working Insulation Voltage
Symbol
V IORM
Test Condition
Characteristic
560
Unit
V peak
Input to Output Test Voltage
V PR
Method b1
(V IORM x 1.875 = V PR , 100%
Production Test, t m = 1 sec,
Partial Discharge < 5 pC)
1050
V peak
Transient Overvoltage
V IOTM
t = 60 sec
4000
V peak
Pollution Degree (DIN VDE 0110, Table 1)
2
Insulation Resistance at T S , V IO = 500 V
R S
>10 9
?
*Note: Maintenance of the safety data is ensured by protective circuits. The Si84xx provides a climate classification of
40/125/21.
Table 10. IEC Safety Limiting Values 1
Parameter
Case Temperature
Safety input, output, or
supply current
Device Power Dissipa-
tion 2
Symbol
T S
I S
P D
Test Condition
? JA = 105 °C/W (NB SOIC-16),
V I = 5.5 V, T J = 150 °C, T A = 25 °C
Min
—
—
—
Typ
—
—
—
Max
NB SOIC-16
150
215
415
Unit
°C
mA
mW
Notes:
1. Maximum value allowed in the event of a failure; also see the thermal derating curve in Figure 3.
2. The Si845x is tested with VDD1 = VDD2 = 5.5 V, TJ = 150 oC, CL = 15 pF, input a 150 Mbps 50% duty cycle square
wave.
16
Rev. 1.5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8450BB-B-IS1 | IC ISOLATOR 5CH 5.5V 16-SOIC |
| EP2442 | PANEL STEEL 22.2X40.2" WHT |
| EPG4224 | PANEL STEEL 40.2 X 22.2" |
| 6826 BK005 | HOOK UP WIRE 17AWG BLACK 100' |
| 1.5KE30CA-T | TVS BI-DIR 30V 1500W DO-201 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8451BB-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 2.5kV Isolator 150M 4/1 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8451DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 10.8A 13W 80mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8452AA-A-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 3/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8452AA-A-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 3/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| Si8452AA-B-IS1 | 功能描述:隔离器接口集成电路 5 Ch 1.0kV Isolator 1M 3/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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