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参数资料
| 型号： | SI8463BB-B-IS1 |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 3/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR 6CH 5.5V 16-SOIC |
| 视频文件： | Digital Isolation Overview Digital Isolators vs. Optocouplers |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | ISOpro |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 3/3 |
| 通道数： | 6 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 2500Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 6ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC N |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 配用： | 336-1765-ND - KIT EVAL FOR SI84XXISO |
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Si8460/61/62/63
T ABLE O F C ONTENTS
Section
Page
1. Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4
2. Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.1. Theory of Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2. Eye Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.3. Device Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.4. Layout Recommendations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.5. Typical Performance Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3. Errata and Design Migration Guidelines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.1. Power Supply Bypass Capacitors (Revision A and Revision B) . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.2. Latch Up Immunity (Revision A Only) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
4. Pin Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
5. Ordering Guide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
6. Package Outline: 16-Pin Narrow Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
7. Land Pattern: 16-Pin Narrow Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
8. Top Marking: 16-Pin Narrow Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
8.1. 16-Pin Narrow Body SOIC Top Marking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
8.2. Top Marking Explanation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .34
Document Change List . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .35
Contact Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36
Rev. 1.5
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8463BB-B-IS1R | 功能描述:隔离器接口集成电路 6 Ch 2.5kV Isolator 150M 6/3 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8465DB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8466EDB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 8 V (D-S) MOSFET |
| SI8466EDB-T2-E1 | 功能描述:MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI8467DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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