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参数资料
| 型号： | SI8512-C-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 8/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSOR CURR 10A 5.5V UNI 20SOIC |
| 标准包装： | 38 |
| 电流 - 感应： | 10A |
| 精确度： | ±5% |
| 灵敏度： | 196mV/A |
| 电流 - 电源： | 4mA |
| 传感器类型： | 闭环 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 输出： | 可配置 |
| 频率： | 50kHz ~ 1MHz |
| 电极标记： | 单向 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 627 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | 336-1425-ND - BOARD EVAL CURRENT SENSOR 10A |
| 其它名称： | 336-1728-5 |
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Si85xx
Table 7. Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Test Condition
SOIC-20
4x4 mm
Unit
QFN
IC Junction-to-Air Thermal Resistance
? JA
85
55
°C/W
40
VDD = 5.5 V
30
20
10
0
IIN to IOUT = 20 Amps
0
50
100
150
200
Case Temperature (oC)
Figure 1. SOIC-20 Thermal Derating Curve, Dependence of Safety Limiting Values
with Case Temperature per DIN EN 60747-5-2
Table 8. Absolute Maximum Ratings 1
Parameter
Storage temperature
Ambient temperature under bias
Junction Temperature
Supply voltage
Voltage on any pin with respect to ground
Symbol
T STG
T A
T J
V DD
V IN
Min
–65
–40
—
—
–0.5
Typ
—
—
—
—
—
Max
+150
+125
150
5.75
VDD + 0.5
Units
°C
°C
°C
V
V
(not including IIN, IOUT)
Output Current Drive
Lead solder temperature (10 s)
Maximum Input Current Rate of Change
Maximum Peak AC Input Current Limit
Thermal Limit (DC Current) 2
Maximum Isolation Voltage (QFN)
Maximum Isolation Voltage (SOIC-20)
ESD (CDM)
ESD (HBM)
ESD (MM)
L O
JEDEC (JESD22-C101C)
JEDEC (JESD22-A114E)
JEDEC (JESD22-A115A)
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
–2500
–250
—
—
—
—
—
—
—
10
260
1000
200
30
1400
6000
+1.5
+2500
+ 250
mA
oC
A/μs
A
A
V RMS
V RMS
kV
V
V
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the absolute maximum ratings are exceeded. Functional operation should be
restricted to conditions as specified in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
2. Refer to “AN329: Extending the Full-Scale Range of the Si85xx” for more information.
8
Preliminary Rev. 0.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI8503-C-IS | SENSOR CURR 20A 5.5V UNI 20SOIC |
| SI8502-C-IS | SENSOR CURR 10A 5.5V UNI 20SOIC |
| NUF2230XV6T1G | IC FILTER 2CH EMI ESD SOT-563 |
| SI8501-C-IS | SENSOR CURR 5A 5.5V UNI 20SOIC |
| SI8502-C-IM | SENSOR CURR 10A 5.5V UNI 12QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8512-C-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:10A CURRENT SENSOR, DUAL OUTPUT 5KV SOIC20 - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SENSOR CURR 10A 5.5V UNI 20SOIC 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:10A Current Sensor Dual Output 5kV |
| Si8513-B-GM | 功能描述:板上安装电流传感器 20A Current Sensr Dual Out RoHS:否 制造商:Honeywell 电流额定值:+/- 56 A 传感器/变换器类型: 电源电压:4.75 VDC to 5.25 VDC 响应时间:< 0.2 us 输出电压: 工作温度:- 40 C to + 85 C 准确性:+/- 0.24 % 频率范围: |
| Si8513-C-GM | 功能描述:板上安装电流传感器 20A Current Sensor RoHS:否 制造商:Honeywell 电流额定值:+/- 56 A 传感器/变换器类型: 电源电压:4.75 VDC to 5.25 VDC 响应时间:< 0.2 us 输出电压: 工作温度:- 40 C to + 85 C 准确性:+/- 0.24 % 频率范围: |
| SI8513-C-GMR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:20A CURRENT SENSOR, DUAL OUTPUT - Tape and Reel |
| Si8513-C-IM | 功能描述:板上安装电流传感器 20A DUAL OUTPUT 1kV RoHS:否 制造商:Honeywell 电流额定值:+/- 56 A 传感器/变换器类型: 电源电压:4.75 VDC to 5.25 VDC 响应时间:< 0.2 us 输出电压: 工作温度:- 40 C to + 85 C 准确性:+/- 0.24 % 频率范围: |
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