- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18842 > SI8517-C-IM (Silicon Laboratories Inc)SENSOR CURRENT 5A 5.5V UNI 12QFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI8517-C-IM |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 8/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSOR CURRENT 5A 5.5V UNI 12QFN |
| 标准包装： | 490 |
| 电流 - 感应： | 5A |
| 精确度： | ±5% |
| 灵敏度： | 392mV/A |
| 电流 - 电源： | 4mA |
| 传感器类型： | 闭环 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 输出： | 可配置 |
| 频率： | 50kHz ~ 1MHz |
| 电极标记： | 单向 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 12-VFQFN |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 336-1730-5 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页当前第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页
Si85xx
Table 7. Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Test Condition
SOIC-20
4x4 mm
Unit
QFN
IC Junction-to-Air Thermal Resistance
? JA
85
55
°C/W
40
VDD = 5.5 V
30
20
10
0
IIN to IOUT = 20 Amps
0
50
100
150
200
Case Temperature (oC)
Figure 1. SOIC-20 Thermal Derating Curve, Dependence of Safety Limiting Values
with Case Temperature per DIN EN 60747-5-2
Table 8. Absolute Maximum Ratings 1
Parameter
Storage temperature
Ambient temperature under bias
Junction Temperature
Supply voltage
Voltage on any pin with respect to ground
Symbol
T STG
T A
T J
V DD
V IN
Min
–65
–40
—
—
–0.5
Typ
—
—
—
—
—
Max
+150
+125
150
5.75
VDD + 0.5
Units
°C
°C
°C
V
V
(not including IIN, IOUT)
Output Current Drive
Lead solder temperature (10 s)
Maximum Input Current Rate of Change
Maximum Peak AC Input Current Limit
Thermal Limit (DC Current) 2
Maximum Isolation Voltage (QFN)
Maximum Isolation Voltage (SOIC-20)
ESD (CDM)
ESD (HBM)
ESD (MM)
L O
JEDEC (JESD22-C101C)
JEDEC (JESD22-A114E)
JEDEC (JESD22-A115A)
—
—
—
—
—
—
—
–1.5
–2500
–250
—
—
—
—
—
—
—
10
260
1000
200
30
1400
6000
+1.5
+2500
+ 250
mA
oC
A/μs
A
A
V RMS
V RMS
kV
V
V
Notes:
1. Permanent device damage may occur if the absolute maximum ratings are exceeded. Functional operation should be
restricted to conditions as specified in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
2. Refer to “AN329: Extending the Full-Scale Range of the Si85xx” for more information.
8
Preliminary Rev. 0.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCD72-08IO8B | MOD THYRISTOR/DIO 800V TO-240AA |
| 604XR-60BLK | LEAD TEST HD XR-XR BLK 60" |
| B512-2T | MOD DIODE SCR 25A 240VAC .250"QC |
| B551SE-2T | MOD DIODE SCR 25A 120VAC .250"QC |
| SI8511-C-IM | SENSOR CURRENT 5A 5.5V UNI 12QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI8517-C-IMR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:5A CURRENT SENSOR, DUAL OUTPUT WITH FAULT OUTPUT 1KV QFN12 - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SENSOR CURRENT 5A 5.5V UNI 12QFN 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:5A Curr Sensor Dual Output FAULT 1kV |
| Si8517-C-IS | 功能描述:板上安装电流传感器 5A DUAL OUTPUT 5kV W/FAULT OUTPUT RoHS:否 制造商:Honeywell 电流额定值:+/- 56 A 传感器/变换器类型: 电源电压:4.75 VDC to 5.25 VDC 响应时间:< 0.2 us 输出电压: 工作温度:- 40 C to + 85 C 准确性:+/- 0.24 % 频率范围: |
| SI8517-C-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:5A CURRENT SENSOR, DUAL OUTPUT WITH FAULT OUTPUT 5KV SOIC20 - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:SENSOR CURR 5A 5.5V UNI 20SOIC 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:5A Curr Sensor Dual Output FAULT 5kV |
| SI85-180 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SMT Power Inductor |
| SI85-180K | 制造商:DELTA 制造商全称:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。