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参数资料
| 型号： | SI8622BD-B-IS |
| 厂商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件页数： | 24/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ISOLATOR 2CH 5KV 16-SOIC |
| 标准包装： | 46 |
| 输入 - 1 侧/2 侧： | 1/1 |
| 通道数： | 2 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 隔离： | 5000Vrms |
| 数据速率： | 150Mbps |
| 传输延迟： | 8ns |
| 输出类型： | 逻辑 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 其它名称： | 336-2069-5 |
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Si8610/20/21/22
3. Device Operation
Device behavior during start-up, normal operation, and shutdown is shown in Figure 8, where UVLO+ and UVLO–
are the positive-going and negative-going thresholds respectively. Refer to Table 12 to determine outputs when
power supply (VDD) is not present.
Table 12. Si86xx Logic Operation
V I
Input 1,2
H
VDDI
State 1,3,4
P
VDDO
State 1,3,4
P
V O Output 1,2
H
Comments
Normal operation.
L
P
P
L
X 5
X 5
UP
P
P
UP
L 6
H 6
Undetermined
Upon transition of VDDI from unpowered to powered,
V O returns to the same state as V I in less than 1 μs.
Upon transition of VDDO from unpowered to powered,
V O returns to the same state as V I within 1 μs.
Notes:
1. VDDI and VDDO are the input and output power supplies. V I and V O are the respective input and output terminals.
2. X = not applicable; H = Logic High; L = Logic Low; Hi-Z = High Impedance.
3. “Powered” state (P) is defined as 2.5 V < VDD < 5.5 V.
4. “Unpowered” state (UP) is defined as VDD = 0 V.
5. Note that an I/O can power the die for a given side through an internal diode if its source has adequate current.
6. See "6. Ordering Guide" on page 31 for details. This is the selectable fail-safe operating mode (ordering option). Some
devices have default output state = H, and some have default output state = L, depending on the ordering part number
(OPN). For default high devices, the data channels have pull-ups on inputs/outputs. For default low devices, the data
channels have pull-downs on inputs/outputs.
24
Rev. 1.4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| Si8622EC-B-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 2Ch 3.75 kV Isolator 150M 1/1 ADuM DO=HI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI8622EC-B-ISR | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:DUAL CH 3.75 KV ISOLATOR, 150M, 1/1, SOIC8, LEAD FREE, ADUM - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ISOLATOR 2CH 3.75KV 8SOIC 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:Dual Ch 3.75 kV ISO 150M 1/1 |
| Si8622ED-B-IS | 功能描述:隔离器接口集成电路 Dual Ch 5kV Isolator 150M 1/1 ADuM, DO=HI RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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