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参数资料
| 型号： | SI9910DJ-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8PDIP |
| 标准包装： | 500 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 120ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 500V |
| 电源电压： | 10.8 V ~ 16.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 散装 |
Si9910
Vishay Siliconix
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltages Referenced to V SS Pin
V DD Supply Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 0.3 V to 18 V
Pin 1, 4, 5, 7, 8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 0.3 V to V DD + 0.3 V
Pin 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 0.7 V to V DD + 0.3 V
Input Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . " 20 mA
Peak Current (I pk ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 65 to 150 _ C
Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ? 40 to 85 _ C
Junction Temperature (T J ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150 _ C
Power Dissipation (Package) a
8-Pin SOIC (Y Suffix) b . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700 mW
8-Pin Plastic DIP (J Suffix) b . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700 mW
Notes
a. Device mounted with all leads soldered or welded to PC board.
b. Derate 5.6 mW/ _ C above 25 _ C.
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
SPECIFICATIONS a
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
Limits
Parameter
Symbol
V DD 10.8 V to 16.5 V
T A = OperatingTemperature Range
Min c
Typ b
Max c
Unit
Input
High Level Input Voltage
V IH
0.70 x V DD
7.4
Low Level Input Voltage
V IL
6.0
0.35 x V DD
V
Input Voltage Hysteresis
V h
0.90
2.0
3.0
High Level Input Current
Low Level Input Current
I IH
I IL
V IN = V DD
V IN = 0 V
" 1
" 1
m A
Output
High Level Output Voltage
V OH
I OH = ? 200 mA
V DD ? 3
10.7
Low Level Output Voltage
V OL
I OL = 200 mA
1.3
3
Undervoltage Lockout
I SENSE Pin Threshold
Voltage Drain-Source Maximum
Input Current for V DS Input
V UVLO
V TH
V DS
I VDS
Max I S = 2 mA, Input High
100 mV Change on Drain
Input High
8.3
0.5
8.3
9.2
0.66
9.1
12
10.6
0.8
10.2
20.0
V
m A
Peak Output Source Current
Peak Output Sink Current
I OS+
I OS ?
1
? 1
A
Supply
Supply Range
V DD
10.8
16.5
V
Supply Current
I DD1
I DD2
Output High, No Load
Output Low, No Load
0.1
100
1
500
m A
Dynamic
Propagation Delay Time Low to High Level
t PLH
120
Propagation Delay Time High to Low Level
Rise Time
Fall Time
Overcurrent Sense Delay (V DS )
Input Capacitance
t PHL
t r
t f
t DS
C in
C L = 2000 pF
135
50
35
1
5
ns
m S
pF
Notes
a. Refer to PROCESS OPTION FLOWCHART for additional information.
b. Typical values are for DESIGN AID ONLY, not guaranteed nor subject to production testing.
c. The algebraic convention whereby the most negative value is a minimum and the most positive a maximum.
www.vishay.com
2
Document Number: 70009
S-42043—Rev. H, 15-Nov-04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R0.25D-0515-R | CONV DC/DC 0.25W 5V IN +/-15VOUT |
| R0.25D-0512-R | CONV DC/DC 0.25W 5V IN +/-12VOUT |
| RB-3.33.3D/H | CONV DC/DC 1W 3.3VIN +/-3.3VOUT |
| GCA22DTKN | CONN EDGECARD 44POS DIP .125 SLD |
| MCP14E7-E/MF | IC MOSFET DRIVER 2A 8DFN-S |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI9910DJ-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Adaptive Power MOSFET Driver1 |
| SI9910DY | 功能描述:功率驱动器IC MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI9910DY-E3 | 功能描述:功率驱动器IC DRVR 1A Sngl. Non-Inv Hi Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI9910DY-T1 | 功能描述:功率驱动器IC MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SI9910DY-T1-E3 | 功能描述:功率驱动器IC MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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