- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录372145 > SI9925 (NXP Semiconductors N.V.) N-channel enhancement mode field-effect transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SI9925 |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | N沟道增强型场效应管 |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 272K |
| 代理商： | SI9925 |
Philips Semiconductors
Si9925DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 20 July 2001
10 of 13
9397 750 08415
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
10. Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20010720
Description
Product data; initial version
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI9925DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SI9947DY | Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
| SI9956DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SIDAC | silicon bilateral voltage triggered switch |
| SIM-080CYU | LED DOT MATRIX MODULE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI9925DY | 功能描述:MOSFET 20V 5A 5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI9925DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:380942 |
| SI9926ADY | 功能描述:MOSFET NCH DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI9926ADY-E3 | 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI9926ADY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。