型号: | SI9925DY |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
中文描述: | 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012 |
封装: | PLASTIC, SO-8 |
文件页数: | 9/13页 |
文件大小: | 272K |
代理商: | SI9925DY |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SIDAC | silicon bilateral voltage triggered switch |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SI9925DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:380942 |
SI9926ADY | 功能描述:MOSFET NCH DUAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI9926ADY-E3 | 功能描述:MOSFET NCh Dual MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SI9926ADY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 4.8A 8-Pin SOIC N T/R |
SI9926ADY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20 Volt 6.0 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |