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参数资料
| 型号： | SI9978DW-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET DRIVER H-BRIDGE 1A 24SOIC |
| 标准包装： | 300 |
| 配置： | H 桥，半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 600ns |
| 配置数： | 1，2 |
| 输出数： | 4 |
| 电源电压： | 14.5 V ~ 17.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 24-SOIC W |
| 包装： | 散装 |
Package Information
Vishay Siliconix
SOIC (WIDE-BODY): 24-LEAD (POWER IC ONLY)
0.303 ± 0.001
? 0.06 ± 0.002D
CAVITY NO.
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
0.334 ± 0.005
R0.004
0.1475 ± 0.001
0.295 ± 0.001
0.010
R0.008
R0.009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
R0.004
4 _ ± 2 _
0.070 ± 0.005
0.032 ± 0.005
0.055 ± 0.005
PIN 1 INDICATOR
? 0.047X0.007 ± 0.001 dp
SURFACE POLISHED
DETAIL A
0.041 ± 0.001
0.606 ± 0.001
0.334 ± 0.005
0.291 ± 0.001
0.020x45 _
7 _ (4x)
DETAIL A
0.098 ± 0.002
0.091 ± 0.001
0.050 TYP.
0.017 ± 0.0003
0.006 ± 0.002
R0.004
0.295 ± 0.001
0.406 ± 0.004
ECN: S-40085—Rev. A, 02-Feb-04
DWG: 5930
Document Number: 72825
29-Jan-04
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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