型号: | SIA406DJ-T1-GE3 |
厂商: | Vishay Siliconix |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6 |
标准包装: | 1 |
系列: | TrenchFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 19.8 毫欧 @ 10.8A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 23nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 1380pF @ 6V |
功率 - 最大: | 19W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | PowerPAK? SC-70-6 |
供应商设备封装: | PowerPAK? SC-70-6 单 |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | SIA406DJ-T1-GE3DKR |