- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录514 > SIA443DJ-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIA443DJ-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 15W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SC-70-6 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SC-70-6 单 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
SiA443DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
V GS = 5 thru 2.5 V
2V
10
8
6
4
4
1.5 V
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
1V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.14
0.12
0.10
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
1500
1200
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.0 8
0.06
V GS = 2.5 V
900
600
C iss
0.04
0.02
V GS = 4.5 V
300
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 6.8 A
I D = 4.7 A
V GS = 4.5 V , 2.5 V , 1. 8 V
6
4
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.4
1.2
1.0
2
0. 8
0
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74474
S-80435-Rev. B, 03-Mar-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIA448DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L |
| SIA461DJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 12A SC706L |
| SIA511DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 |
| SIA513DJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 |
| SIA533EDJ-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIA444DJT | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIA444DJT_11 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIA444DJT-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-Channel 30 V (D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA445EDJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIA447DJ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -12V 13.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。