参数资料
| 型号： | SIC778ACD-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC BUCK ADJ 40A 40MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | DrMOS |
| 类型： | 高端/低端驱动器 |
| 输入类型： | PWM |
| 输出数： | 2 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 40A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? MLP66-40 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? MLP66-40 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIC778ACD-T1-GE3DKR |
SiC778A
Vishay Siliconix
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Start-up with V DRV /V CIN Ramping Up
V IN = 12 V, V OUT = 1.2 V, f SW = 500 kHz
Switching waveform at PWM Rising Edge
V IN = 12 V, V OUT = 1.2 V, f SW = 500 kHz, I OUT = 0 A
Switching Waveform at PWM Rising Edge
V IN = 12 V, V OUT = 1.2 V, f SW = 500 kHz, I OUT = 30 A
Power Off with V DRV /V CIN Ramping Down
V IN = 12 V, V OUT = 1.2 V, f SW = 500 kHz, I OUT = 1.2 A
Switching Waveform at PWM Falling Edge
V IN = 12 V, V OUT = 1.2 V, f SW = 500 kHz
Switching Waveform at PWM Falling Edge
V IN = 12 V, V OUT = 1.2 V, f SW = 500 kHz, I OUT = 30 A
Document Number: 63808
S12-1132-Rev. B, 21-May-12
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www.vishay.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SIC779CD-T1-GE3 | 功能描述:功率驱动器IC 40A 3-16V Built-In PWM Cont RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| SIC779DB | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Integrated DrMOS Power Stage |
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