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参数资料
| 型号： | SIDC07D60AF6 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 22.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | 2.65 x 2.65 MM, DIE-1 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | SIDC07D60AF6 |
SIDC07D60AF6
Edited by INFINEON Technologies, IMM PSD, L4294M, Edition 2.1, 09.03.2010
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Condition
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
Tvj = 25 °C
600
V
Continuous forward current
IF
Tvj < 150°C
1 )
Maximum repetitive forward current
IFRM
Tvj < 150°C
45
A
Junction temperature range
Tvj
-40...+175
°C
Operating junction temperature
Tvj
-40...+150
°C
Dynamic ruggedness
)
Pmax
IFmax = 45A, VRmax = 600V,
Tvj
≤ 150°C
tbd
kW
1 ) depending on thermal properties of assembly
2 ) not subject to production test - verified by design/characterisation
Static Characteristic (tested on wafer), Tvj = 25 °C
Value
Parameter
Symbol
Conditions
min.
typ.
max.
Unit
Reverse leakage current
IR
VR=600V
27
A
Cathode-Anode
breakdown Voltage
VBR
IR=1.5mA
600
V
Diode forward voltage
VF
IF=22.5A
1.6
V
Further Electrical Characteristics
Switching characteristics and thermal properties are depending strongly on module design and mounting
technology and can therefore not be specified for a bare die.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIDC09D60F6 | 30 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SJ5186 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SJ5188 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SX5186 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SX5188 | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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