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参数资料
| 型号： | SIE8000/3600-4 |
| 厂商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, 24000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-1 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | SIE8000/3600-4 |
High voltage rectifiers
Si-E 8000_3600-4
Forward Current: 4 A
Reverse Voltage: to 24000 V
Publish Data
Features
Typical Applications
Mechanical Data
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
Dimensions in mm
Si-E 8000_3600-4
1
10-04-2006 SCT
by SEMIKRON
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIH31-10 | 150 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SJ3595-1 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SX3595-1 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SV3595-1 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SJ3595US-1 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI-E8000-3600-4_06 | 制造商:SEMIKRON 制造商全称:Semikron International 功能描述:High voltage rectifiers |
| SI-E8000-4 | 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:High Voltage Silicon Rectifier Diodes |
| SIE800DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE800DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE800DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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