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参数资料
| 型号： | SIE802DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.9 毫欧 @ 23.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.7V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（L） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（L） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
POLARPAK? OPTION L
M4
M4
Prod u ct datasheet/information page contain
10
D
9
G
8
S
7
S
6
D
links to applica b le package dra w ing.
V ie w A
M3
M2
M1
M3
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1
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2
S
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5
A
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(Top V ie w )
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S
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DETAIL Z
0.26
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5
b 5
4
3
b 5
2
1
V ie w A
(Bottom V ie w )
A
0.20
0.33
0.5 8
Document Number: 72945
Revision: 11-Aug-08
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIE804DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK |
| SIE822DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
| SIE830DF-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIE836DF-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK |
| SIE848DF-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE804DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE806DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE806DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE806DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE808DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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