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参数资料
| 型号： | SIE830DF-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | WFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 115nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（S） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（S） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SiE830DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.010
0.009
0.00 8
I D = 16 A
10
T J = 150 °C
0.007
0.006
T A = 125 °C
0.005
T A = 25 °C
0.004
1
T J = 25 °C
0.003
0.002
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0. 8 0.9 1.0 1.1
0
2
4
6
8
10
1. 8
1.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.4
I D = 250 μ A
30
1.2
20
1.0
0. 8
0.6
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited
b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
10 s
DC
B V DSS
Limited
0.01
0.01
* V GS
0.1 1 10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
100
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74422
S09-1337-Rev. D, 13-Jul-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIE836DF-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK |
| SIE848DF-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIHB30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| SIHF15N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP |
| SIHF18N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE832DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
| SIE832DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 40V 50A 104W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE832DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 40V 103A 104W 5.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE836DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE836DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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