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参数资料
| 型号： | SIE836DF-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 104W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-PolarPAK?（SH） |
| 供应商设备封装： | 10-PolarPAK?（SH） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
PolarPAK? OPTION SH
M4
M3
M1
M2
(Top V ie w )
M3
M4
A
C
V ie w A
θ
Z
D1
D
DETAIL Z
H1 b 5
b 5
b 5
b 5
b 5 H1
b 4
P1
b 4
b 1
H4
b 3
H3 b 2
H2
b 1
V ie w A
(Bottom V ie w )
Document Number: 68798
Revision: 29-Dec-08
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIE848DF-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
| SIHB30N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
| SIHF15N60E-E3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP |
| SIHF18N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP |
| SIHF6N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIE836DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE844DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SIE844DF-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE844DF-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIE848DF | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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