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参数资料
| 型号： | SIH31-06 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 150 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 200K |
| 代理商： | SIH31-06 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SF30SC3L-4100 | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SR130H02-5 | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SR160H09 | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| SR350H33 | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SR350M23 | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIHB10N40D-GE3 | 功能描述:MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHB12N50C-E3 | 功能描述:MOSFET N-Channel 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHB12N60E | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:E Series Power MOSFET |
| SiHB12N60E-GE3 | 功能描述:MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIHB12N60E-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N CH 600V 12A TO-263-3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N CH, 600V, 12A, TO-263-3 |
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