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参数资料
| 型号： | SIR-381SB3F/M |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | SIR-381SB3F/M |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR-482ST3F/KL | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| SIR-481ST3F/NP | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| SIR-482ST3F/K | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| SIR-567ST3F/M | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SIM-22ST/MQ | 1.5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR383 | 功能描述:红外发射源 Infrared LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| SIR383C | 功能描述:红外发射源 Infrared LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| SIR-38EH | 制造商:Russell 功能描述: |
| SIR401DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR402DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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