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参数资料
| 型号： | SIR-481ST3F/LN |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | SIR-481ST3F/LN |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR-481ST3F/P | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| SIR-482ST3F/LM | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| SIR-567ST3F/LM | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SIR-567ST3F/MN | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SIM-22ST/MN | 1.5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR482DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR484DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIR484DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 29.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR492DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SIR492DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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