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参数资料
| 型号： | SIR67-21C/TR8 |
| 厂商： | Everlight Electronics Co Ltd |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR TOP FLAT WATER CLEAR SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 65mA |
| 辐射强度(le)最小值@正向电流： | 1.1mW/sr @ 20mA |
| 波长： | 875nm |
| 正向电压： | 1.3V |
| 视角： | 120° |
| 方向： | 通用 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-PLCC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1080-1427-6 |
DATASHEET
SIR67-21C/TR8
Electro-Optical Characteristics (Ta=25 ℃ )
Parameter
Radiant Intensity
Peak Wavelength
Spectral Bandwidth
Forward Voltage
Reverse Current
View Angle
Symbol
Ie
λ p
Δλ
V F
I R
2θ1/2
Min.
0.5
---
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.1
4.5
875
80
1.3
1.4
--
120
Max.
---
---
--
--
1.6
1.8
10
--
Unit
mW /sr
nm
nm
V
μ A
deg
Condition
I F =20mA
I F =100mA
Pulse Width ≦ 100 μ s ,Duty ≦ 1%
I F =100mA
I F =100mA
I F =20mA
I F =100mA
Pulse Width ≦ 100 μ s ,Duty ≦ 1%
V R =5V
I F =20mA
Revision Copyright ?
Release Date:2013-06-03 15:22:49.0
3 :1
LifecyclePhase:
2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : MAY.20.2013. Issue No: DIR-0000957 www.everlight.com
Expired Period: Forever
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR698DP-T1-GE3 | MOSFET N-CHAN 100V(D-S)POWERPAK |
| SIR800DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8-SOIC |
| SIR802DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SIR826DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK |
| SIR844DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR688DP-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH POWERPAK SO-8 BWL SPLIT GATE 60V 3.5MOHM@10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch PowerPAK SO-8 BWL split gate 60V 3.5mohm@10V |
| SIR698DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 7.5A 23W 195mOhm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR770DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIR770DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR774DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
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