- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录515 > SIR698DP-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CHAN 100V(D-S)POWERPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SIR698DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V(D-S)POWERPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 195 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 23W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR698DP-T1-GE3DKR |
SiR698DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
8
6
4
2
V GS = 10 V thr u 6 V
5 V
10
8
6
4
2
T C = 125 °C
0
3 V
4 V
0
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
0.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
320
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
2 8 0
0.4
240
C iss
0.3
0.2
0.1
V GS = 6 V
V GS = 10 V
200
160
120
8 0
40
C oss
0.0
0
C rss
0
2
4
6
8
10
0
20
40 60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V DS = 50 V
I D = 2.5 A
2.0
V GS = 10 V
I D = 2.5 A
8
1. 8
6
4
1.6
1.4
1.2
1.0
2
0. 8
0
0.6
0
1
2 3 4
5
6
- 50
- 25
0 25 50 75 100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 67918
S11-2524-Rev. A, 26-Dec-11
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR800DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 8-SOIC |
| SIR802DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SIR826DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK |
| SIR844DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC |
| SIR846ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR770DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIR770DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR774DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiR774DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 40 Amps 62.5 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR788DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 60A 48W 3.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。