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参数资料
| 型号： | SIR800DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 133nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5125pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SIR800DP-T1-GE3DKR |
New Product
SiR800DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
0.0080
0.0064
0.0048
I D = 15 A
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.0032
0.0016
0
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.3
0.1
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.1
- 0.3
- 0.5
I D = 5 mA
I D = 250 μA
120
80
40
- 0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Junction Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
1 ms
10
10 ms
100 ms
1
1s
10 s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65738
S10-0637-Rev. A, 22-Mar-10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR802DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC |
| SIR826DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK |
| SIR844DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC |
| SIR846ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A SO8 |
| SIR850DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR802DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SIR802DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIR804DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
| SIR804DP_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
| SIR804DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 7.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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