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参数资料
| 型号： | SIR91-21C/TR7 |
| 厂商： | EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, SMD, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | SIR91-21C/TR7 |
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev :2
Page: 4 of 10
Device No：SZDTS-091-004
Prepared date：24-Jul-2008
Prepared by：Liu xiaojuan
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835 855
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965
945
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IF
=20mA
Ta=25° C
75
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SIR91-21C/TR7
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
Fig.1 Forward Current vs.
Fig.2 Spectral Distribution
Ambient Temperature
Fig.3
Peak Emission Wavelength
Fig.4
Forward Current
Ambient Temperature
vs. Forward Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIR95-21C/TR7 | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| SK44LT/R7 | 4 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SK6070C | 60 A, 70 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AB |
| SK6060C | 60 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AB |
| SK835L-TP | 8 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIR928-6C-F | 功能描述:红外发射源 Infrared LED RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| SIR-94T530 | 制造商:SEOUL 制造商全称:Seoul Semiconductor 功能描述:Infrared emittng dode |
| SIR95-21C/TR10 | 制造商:Everlight Electronics Co 功能描述: |
| SIRA00DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIRA00DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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