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参数资料
| 型号： | SIR95-21C/TR7 |
| 厂商： | EVERLIGHT ELECTRONICS CO LTD |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 875 nm |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, SMD, 2 PIN |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | SIR95-21C/TR7 |
Everlight Electronics Co., Ltd.
http://www.everlight.com
Rev 3
Page: 5 of 10
Device No：DIR-0000094
Prepared date：02-18-2008
Prepared by：Jaine Tsai
-20
0.6
0.9
0.7
0.8
1.0
0.2
0.4
0
0.2 0.4 0.6
50
70
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30
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0
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2
3
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4
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100
1000
IF-Forward Current (mA)
Ie-Radiant
Intensity(mW/sr)
SIR95-21C/TR7
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
Fig.5 Relative Intensity vs.
Fig.6 Relative Radiant Intensity vs.
Forward Current
Angular Displacement
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SK44LT/R7 | 4 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SK6070C | 60 A, 70 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AB |
| SK6060C | 60 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AB |
| SK835L-TP | 8 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB |
| SKCD18C060I | 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIRA00DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIRA00DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 1mOhm@10V 60A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIRA02DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SIRA02DP-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 2mOhm@10V 50A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIRA04DP | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
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