1N3070_T50R

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功能描述
整流器 Hi Conductance Fast
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N3070_T50R 技术参数

1N3070 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:175V 电流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 175V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-7 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3064TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:1 1N3064_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:175°C（最大）标准包装:30,000 1N3064 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 75MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:75mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 75mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AA，DO-7，轴向供应商器件封装:DO-35 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N3051BUR-1 1N3155UR-1 1N3156 1N3156-1 1N3156UR-1 1N3157-1 1N3157UR-1 1N3161 1N3161R 1N3162 1N3162R 1N3163 1N3163R 1N3164 1N3164R 1N3165 1N3165R 1N3166 1N3166R