1N3665BSC

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1N3665BSC 技术参数

1N3647 功能描述:DIODE GEN PURP 3KV 600MA AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:3000V 电流 - 平均整流（Io）:600mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:5V @ 250mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2.5μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 3000V 不同?Vr，F 时的电容:8pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3646 功能描述:DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1750V（1.75kV）电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1750V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:S，轴向供应商器件封装:S，轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3645 功能描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1400V（1.4kV）电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1400V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:S，轴向供应商器件封装:S，轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3644 功能描述:MIL, QPL PART, 0.250A. 1500V REC 制造商:semtech corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N3643 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 250MA AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:5V @ 250mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:S，轴向供应商器件封装:S，轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N3744 1N3744R 1N3765 1N3765R 1N3766 1N3766R 1N3767 1N3767R 1N3768 1N3768R 1N3821 1N3821A-1 1N3821AUR-1 1N3822A-1 1N3822AUR-1 1N3823A-1 1N3823AUR-1 1N3824A-1