1N4045DU

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制造商
WEST
功能描述

1N4045DU 技术参数

1N4045 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 275A DO205AB 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:275A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:1 1N4044R 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 275A DO205AB 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:275A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15mA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:1 1N4044 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 275A DO205AB 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:275A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:15mA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:1 1N4007-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4007T-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4050 1N4050R 1N4051 1N4051R 1N4052 1N4052R 1N4053 1N4053R 1N4054 1N4054R 1N4055 1N4055R 1N4056 1N4056R 1N4095 1N4099 1N4099 (DO35) 1N4099 BK