1N4061A

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ZENER SGL 21V 5% 1.5W 2PIN CASE CC - Bulk

1N4061A 技术参数

1N4056R 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 275A DO205 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:275A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:12mA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:1 1N4056 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 275A DO205 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:275A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:12mA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:1 1N4055R 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 275A DO205AB 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 电流 - 平均整流（Io）:275A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:12mA @ 900V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:1 1N4055 功能描述:DIODE GEN PURP 900V 275A DO205AB 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:900V 电流 - 平均整流（Io）:275A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:12mA @ 900V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:1 1N4054R 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 275A DO205AB 制造商:powerex inc. 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:275A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:12mA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-205AB，DO-9，接线柱供应商器件封装:DO-205AB，DO-9 工作温度 - 结:-65°C ~ 190°C 标准包装:1 1N4100-1 1N4100UR 1N4100UR-1 1N4101 1N4101 (DO35) 1N4101UR 1N4101UR-1 1N4102 (DO35) 1N4102-1 1N4102UR 1N4102UR-1 1N4103 1N4103 (DO35) 1N4103-1 1N4103UR 1N4103UR-1 1N4104 1N4104 (DO35)