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1N4150W-HE3-08

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  • 1N4150W-HE3-08
    1N4150W-HE3-08

    1N4150W-HE3-08

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

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  • 原厂封装

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  • 1N4150W-HE3-08
    1N4150W-HE3-08

    1N4150W-HE3-08

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

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  • VISHAY SE

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  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • 1N4150W-HE3-08 - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • 1N4150W-HE3-08 - Bulk
  • 制造商
  • Vishay Intertechnologies
  • 功能描述
  • SWITCHING DIODE GENPURP SOD123
1N4150W-HE3-08 技术参数
  • 1N4150W-G3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4150W-G3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4150W-E3-18 功能描述:Diode Standard 50V 200mA Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4150W-E3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:2.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 1N4150UR-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 电流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AA 供应商器件封装:DO-213AA 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18 1N4152 1N4152_T50A 1N4152_T50R 1N4152TR 1N4153 1N4153_T50R 1N4153-1 1N4153TR 1N4153UR-1 1N4154
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