1N5263B-AP

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1N5263B-AP 技术参数

1N5263B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5263B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5263B TR 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5263B BK 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5263B A0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作温度:100°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5264 1N5264A 1N5264A (DO-35) 1N5264B 1N5264B (DO-35) 1N5264B BK 1N5264B TR 1N5264BDO35 1N5264B-T 1N5264B-TAP 1N5264B-TP 1N5264B-TR 1N5264BUR-1 1N5264C-TAP 1N5264C-TR 1N5265 1N5265A 1N5265A (DO-35)