1N5263CRL2

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1N5263CRL2 技术参数

1N5263BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5263B-TR 功能描述:DIODE ZENER 2.2A 56V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5263B-TP 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5263B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5263B-T50R 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 43V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 基本零件编号:1N5263 标准包装:1 1N5264BDO35 1N5264B-T 1N5264B-TAP 1N5264B-TP 1N5264B-TR 1N5264BUR-1 1N5264C-TAP 1N5264C-TR 1N5265 1N5265A 1N5265A (DO-35) 1N5265B 1N5265B (DO-35) 1N5265B TR 1N5265BDO35 1N5265BDO35E3 1N5265B-T 1N5265B-TAP