您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

1N5614GP-E3/1

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5614GP-E3/1
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
850000
Vishay Semiconductors
DO-15
12+
-
全新原装现货库存！400-800-030...

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： 1N5614GP-E3/54 1N5614GP-E3/73 1N5614GPHE3/54 1N5614US 1N5615 1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/73 1N5615GPHE3/54 1N5615US

1N5614GP-E3/1 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N5614GP-E3/1 PDF下载

功能描述
整流器 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N5614GP-E3/1 技术参数

1N5614 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 1N5613 功能描述:C-BODY 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5611 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5610 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:175V 电压 - 击穿（最小值）:191V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13 标准包装:1 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617 1N5617C.TR 1N5617GP-E3/54 1N5617GP-E3/73 1N5617GPHE3/54 1N5617US 1N5618 1N5618GP-E3/54 1N5618GPHE3/54 1N5618US 1N5619 1N5619GP-E3/54 1N5619GP-E3/73 1N5619GPHE3/54