1N5761A

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制造商
NJSEMI
制造商全称
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
功能描述
SILICON 3-LAYER BILATERAL TRIGGERS

1N5761A 技术参数

1N5757D 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 53V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5757C 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 53V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5757B 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:255 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 53V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5756D 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:68V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 48V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5756C 功能描述:DIODE ZENER 68V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:68V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:240 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 48V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5804 1N5804US 1N5805 1N5806 1N5806/TR 1N5806C.TR 1N5806E3/TR 1N5806TR 1N5806US 1N5806US/TR 1N5806USE3 1N5806USE3/TR 1N5807 1N5807US 1N5808 1N5809 1N5809/TR 1N5809US