1N5822/4T

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1N5822/4T
深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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GENERALSEMICONDUCTOR
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1N5822/4T 技术参数

1N5822 R0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,250 1N5822 B0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 1N5822 A0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 1N5822 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:525mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 时的电容:190pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5821US 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5822RL 1N5822RLG 1N5822-T 1N5822-TP 1N5822US 1N5824 1N5825 1N5826 1N5826R 1N5827 1N5827R 1N5828 1N5828R 1N5829 1N5829R 1N5830 1N5830R 1N5831