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1N5949C

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  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
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  • 零件状态
  • 在售
  • 标准包装
  • 1
1N5949C 技术参数
  • 1N5949BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 100V 1.25W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.25W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-213AB，MELF 供应商器件封装:DO-213AB 标准包装:1 1N5949BPE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 100V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1,500 1N5949BPE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 100V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:4,000 1N5949BP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 100V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:1,500 1N5949BP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 100V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 标准包装:4,000 1N5949P/TR12 1N5949P/TR8 1N5949PE3/TR12 1N5949PE3/TR8 1N5950A 1N5950A G 1N5950AE3/TR13 1N5950AP/TR12 1N5950AP/TR8 1N5950APE3/TR12 1N5950APE3/TR8 1N5950B 1N5950B BK 1N5950B G 1N5950B TR 1N5950BE3/TR13 1N5950BP/TR12 1N5950BP/TR8
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