1N6640USJTX/TR

配单专家企业名单

1N6640USJTX/TR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

1N6640USJTX/TR 技术参数

1N6640US 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，D 供应商器件封装:D-5D 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 1N6640 1N6639US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6638US/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:125V 电流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:20ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 125V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，D 供应商器件封装:D-5D 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:100 1N6638US 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6658 1N6658R 1N6659 1N6659R 1N6660 1N6660CAT1 1N6660CCT1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R 1N6673 1N6673R